Caractéristiques de la diode SDL-2482 retrouvé dans une revue "LASER FOCUS 1991"
Diode GaAlAs de 3W@5200mA seuil à 1200mA sous une tension de 2.0V Emission entre 790nm et 830nm suivant le réglage de température du TEC. Tension du TEC 2V. Largeur de la raie d'émission 2nm temps de montée 500ps. Divergence 10x40mrad.
Cette diode laser va me permettre de réaliser des laser Nd:YAG et Nd:Vanadate travaillant en régime q-switch et en mode-locking.
