LASER PICOSECONDE CHEETAH de TIME&BANDWIDTH

Ce laser picoseconde utilise un cristal  Nd:YVO4  vanadate d’yttrium dopé au néodyme.

La cavité comprend un mirroir SESAM dont le coefficient de réflection dépend de l’intensité lumineuse ce qui permet de synchronisé les modes longitudinaux  dans la cavité pour obtenir des impulsions picosecondes. D’un miroir de sortie semi transparent convex d’une lame dichroïque laissant passer le faisceau pompe à 808nm (30W) et réfléchissant le faisceau laser à 1064 nm. Une lentille de focalisation de 50mm de focal permettant de pompé le cristal amplificateur. Plusieurs miroirs plan et concave ayant des couches multidiélectriques ayant un GVD négatif  -600 et -400 fs2

La durée des pulses laser peut-être élargie en utilisant un étalon.

La fréquence de répétition est donnée par la longueur de la cavité, si l’on désire une fréquence plus basse il faut allonger la longueur, l’énergie par pulse est augmentée.

Chaque fois qu’un lasers à verrouillage de mode frappe le coupleur de sortie , on obtient une impulsion dans la sortie laser. Un laser à verrouillage de mode émet donc un train d’impulsions régulier. Le taux de répétition des impulsions est l’inverse du temps d’aller-retour dans le résonateur laser, ou un multiple entier de celui-ci en cas de verrouillage de mode harmonique.La puissance crête de ce laser est de 10kW à 100 MHz. 

https://chatgpt.com/share/68e2f528-8b8c-8012-b58b-f42a89f74f01

  • Cristal actif le plus probable : Nd:YVO₄ (néodyme : yttrium orthovanadate) — décrit explicitement comme « vanadate laser oscillator » dans des rapports qui utilisent le Cheetah-X, et cohérent avec la pratique industrielle pour des oscillateurs DPSSL compacts et efficients.

  • Longueur d’onde de pompage : ~808–809 nm (pompage par diodes). Les Nd³⁺ dans YVO₄ ont un pic d’absorption proche de 808–809 nm, raison pour laquelle les fabricants utilisent des diodes centrées sur cette gamme.

  • Pourquoi Nd:YVO₄ / 808 nm ? : Nd:YVO₄ a une forte absorption à ~808 nm, un grand coefficient d’émission à 1064 nm et permet de bons rendements en pompage diode dans des architectures end-pumped (compactes), ce qui correspond au design du Cheetah-X.