Diode GaAlAs de 3W@5200mA  seuil à 1200mA sous une tension de 2.0V
Emission entre 790nm et 830nm suivant le réglage de température du TEC. Tension du TEC 2V.   Largeur de la raie d’émission 2nm temps de montée 500ps. Divergence 10x40mrad.